1. NTMFS5844NLT1G
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厂商型号

NTMFS5844NLT1G 

产品描述

MOSFET 60V NCH T2 SO8FL

内部编号

277-NTMFS5844NLT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:1470
1+¥5.1043
10+¥4.4761
100+¥3.4251
500+¥2.7137
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1470
1+¥5.1043
10+¥4.4761
100+¥3.4251
500+¥2.7137
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTMFS5844NLT1G产品详细规格

规格书 NTMFS5844NLT1G datasheet 规格书
NTMFS5844NL
NTMFS5844NLT1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11A
Rds(最大)@ ID,VGS 12 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 30nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1460pF @ 25V
功率 - 最大 3W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商器件封装 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 5.8
PCB 8
最大功率耗散 3700
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 12@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SO-FL
标准包装名称 DFN
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 4.9
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1.05(Max)
最大连续漏极电流 11.2
封装 Tape and Reel
铅形状 Flat
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 11.2A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.3V @ 250µA
封装/外壳 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商设备封装 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 12 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3W
标准包装 1,500
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1460pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 30nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 60 A
正向跨导 - 闵 27 s
RDS(ON) 16 mOhms
功率耗散 1.9 W, 3 W, 57 W, 89 W
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 30 nC
工厂包装数量 1500
系列 NTMFS5844NL
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 60 A
Qg - Gate Charge 30 nC
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 89 W
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V to 2.3 V
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 16 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
技术 Si

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