规格书 |
NTMFS5844NL |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 11A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 12 mOhm @ 10A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 30nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1460pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 5.8 |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 3700 |
最大漏源电压 | 60 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 12@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SO-FL |
标准包装名称 | DFN |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 4.9 |
引脚数 | 8 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 1.05(Max) |
最大连续漏极电流 | 11.2 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Flat |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 11.2A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.3V @ 250µA |
封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
供应商设备封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 12 mOhm @ 10A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3W |
标准包装 | 1,500 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1460pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 30nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 60 A |
正向跨导 - 闵 | 27 s |
RDS(ON) | 16 mOhms |
功率耗散 | 1.9 W, 3 W, 57 W, 89 W |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 30 nC |
工厂包装数量 | 1500 |
系列 | NTMFS5844NL |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Id - Continuous Drain Current | 60 A |
Qg - Gate Charge | 30 nC |
品牌 | ON Semiconductor |
Pd - Power Dissipation | 89 W |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V to 2.3 V |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 16 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
技术 | Si |
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